发明名称 超薄介电层之电浆处理及蚀刻方法
摘要 本发明提供一种介电层之乾蚀刻方法。先提供基材,接着在基材上形成至少一覆盖介电层。然后对覆盖介电层进行电浆氧化制程,并且对覆盖介电层进行电浆蚀刻制程。
申请公布号 TW200522197 申请公布日期 2005.07.01
申请号 TW093119138 申请日期 2004.06.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 徐祖望;邱远鸿;陶宏远
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号