Verbesserte Technik zur Herstellung eines Transistors mit erhöhten Drain- und Sourcegebieten

摘要

Durch Bilden einer Vertiefung in einer Halbleiterschicht, vorzugsweise durch lokales Oxidieren der Halbleiterschicht, kann ein spannungserzeugendes Material und/oder eine Dotierstoffspezies in die gedünnte Halbleiterschicht in der Nähe einer Gateelektrodenstruktur mittels eines nachfolgenden epitaktischen Wachstumsprozesses eingeführt werden. Insbesondere das spannungserzeugende Material, das benachbart zu der Gateelektrodenstruktur ausgebildet ist, übt eine Druck- oder Zugspannung, abhängig von der Art des abgeschiedenen Materials, aus, wodurch die Beweglichkeit der Ladungsträger in einem Kanalgebiet des Transistorelements erhöht wird.