| 主权项 |
1.一种发光装置,包括:一基板,具有一在第一与第二相对表面间延伸贯穿之接触插头;一作用区域,位于该第一表面上;一第一电接触点,位于该作用区域上;及一第二电接触点,邻近该第二表面,该接触插头将该第二电接触点耦合至该作用区域。2.如请求项1之发光装置,尚包括:一欧姆接触层,位于该第一表面与该作用区域之间。3.如请求项2之发光装置,其中该欧姆接触层包括氮化钛(TiN)、铂、镍/金、氧化镍/金、氧化镍/铂、Ti及钛/金中之至少一者。4.如请求项2之发光装置,其中该欧姆接触层具有介于约10与约100间之厚度。5.如请求项1之发光装置,其中该基板包括蓝宝石。6.如请求项1之发光装置,其中该接触插头包括金、银、一金合金,及/或一银合金。7.如请求项1之发光装置,其中该第一及第二电接触点大体上系互相对齐。8.如请求项1之发光装置,其中该第一及第二电接触点系互相偏离。9.如请求项1之发光装置,其中该作用区域包括:一n型层,位于该第一表面上;及一p型层,位于该n型层上。10.如请求项9之发光装置,其中该第一电接触点包括铂、镍及钛/金中之至少一者。11.如请求项9之发光装置,其中该第二电接触点包括铝及钛之至少一者。12.如请求项9之发光装置,其中该n型层包括氮化镓(GaN)。13.如请求项9之发光装置,其中该p型层包括GaN。14.如请求项1之发光装置,其中该欧姆接触层系至少部分透明。15.一种形成发光装置之方法,包括:在一基板之第一表面上形成一作用区域,该基板具有第一及第二相对表面;在该第一与第二相对表面间,在基板中形成一通孔;在该通孔中形成一接触插头;在该作用区域形成一第一接触点;及形成毗邻该第二表面之第二电接触点,该第二电接触点藉由该接触插头而耦合至该作用区域。16.如请求项15之方法,尚包括:在该第一表面与该作用区域间形成一欧姆接触层。17.如请求项15之方法,其中形成该作用区域包括:在该第一表面上形成一n型层;及在该n型层上形成一p型层。18.如请求项15之方法,其中形成该通孔包括:使用该欧姆接触层作为一蚀刻停止层而蚀刻该基板。19.如请求项18之方法,其中执行蚀刻该基板系使用以下蚀刻技术之至少一者:湿式蚀刻、乾式蚀刻及微机械定型。20.如请求项15之方法,其中形成该通孔包括:大体上与该第一电接触点对准而形成该通孔。21.如请求项15之方法,其中形成该通孔包括:形成该通孔,俾便该通孔与该第一电接触点互相偏离。22.如请求项15之方法,其中形成该接触插头包括:利用金、银、一金合金及/或一银合金而电镀该通孔。23.一种形成发光装置之方法,包括:在一第一基板上形成一作用区域;在一第二基板中之第一与第二相对表面间形成一通孔;在该通孔中形成一接触插头;及将该作用区域从该第一基板转移至该第二基板,以便将该作用区域设置在该第一基板上。24.如请求项23之方法,其中形成该作用区域包括:在该第一基板上形成一n型层;及在该n型层上形成一p型层。25.如请求项23之方法,尚包括:在该第一表面与该作用区域之间形成一欧姆接触层。26.如请求项25之方法,其中形成该通孔包括:使用该欧姆接触层作为一蚀刻停止层而蚀刻该第二基板。27.如请求项26之方法,其中执行蚀刻该第二基板系使用以下蚀刻技术之至少一者:湿式蚀刻、乾式蚀刻及微机械定型。28.如请求项23之方法,其中形成该接触插头包括:利用金、银、一金合金及/或一银合金而电镀该通孔。29.如请求项23之方法,尚包括:在该作用区域上形成一第一电接触点;及形成一第二电接触点,其耦合至在该第二基板之接触插头。图式简单说明:图1以剖面图说明一习用氮化镓(GaN)式发光二极体(LED);图2A至2H根据本发明多种不同实施例,以剖面图说明数个发光装置及其形成方法;及图3至5根据本发明一些实施例,以流程图说明制造发光装置的示范操作。 |
