| 发明名称 | 采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种采用牺牲金属氧化物层形成双镶嵌金属互连的方法。该方法包括制备半导体衬底。层间绝缘层形成在半导体衬底上，预通孔是通过对层间绝缘层形成图案而形成的。牺牲通孔保护层形成在具有预通孔的半导体衬底上，以填充预通孔并覆盖层间绝缘层的上表面。牺牲金属氧化物层形成在牺牲通孔保护层上，对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层。使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。 | ||
| 申请公布号 | CN1624897A | 申请公布日期 | 2005.06.08 |
| 申请号 | CN200410100189.8 | 申请日期 | 2004.12.03 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金在鹤;文永俊;李敬雨;黄晸郁 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.形成双镶嵌金属互连的方法，其包括：a)制备半导体衬底；b)在所述半导体衬底上形成层间绝缘层；c)对层间绝缘层形成图案，以形成预通孔；d)在具有预通孔的半导体衬底上形成牺牲通孔保护层，该牺牲通孔保护层填充预通孔且覆盖层间绝缘层的上表面；e)在牺牲通孔保护层上形成牺牲金属氧化物层；f)对牺牲金属氧化物层形成图案，以形成具有开口的牺牲金属氧化物图案，该开口横过预通孔并暴露牺牲通孔保护层；以及g)使用牺牲金属氧化物图案作为蚀刻掩模，蚀刻牺牲通孔保护层和层间绝缘层，以形成位于层间绝缘层内的槽。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||