存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供存储装置及其制造方法，所述存储装置的制造方法是首先在衬底的有源区上形成多对浮置栅与多对选择栅，其中各对浮置栅位于各对浮置栅之间。然后，在浮置栅与选择栅上形成介电层，再于衬底上同时形成横跨该些有源区与该些隔离结构且分别位于浮置栅上方与选择栅上方的控制栅以及源极线。其后，在控制栅与源极线两侧的衬底中形成源极/漏极区，再于衬底上覆盖一层厚介电层，并于厚介电层中形成源极线接触窗，以与各对源极线之间的源极/漏极区连接并至少与各对源极线其中之一连接。

主权项

1.一种存储装置，包括：多个隔离结构，其配置于一衬底中，并且在该衬底中定义出多个有源区；多对字线，其彼此大致平行地横跨配置于该些隔离结构与该些有源区上，该些条状有源区被该些对字线覆盖之处定义出多个第一沟道区；多个第一栅极，配置于该些第一沟道区上以及该衬底与该些字线之间；多对源极线，各对源极线配置于各对字线之间且与各对字线大致平行，且横跨于该些隔离结构与该些有源区上，并且该些有源区被该些对源极线覆盖之处定义出多个第二沟道区；多个第二栅极，配置于该些第二沟道区上、该衬底与该些源极线之间；一第一介电层，配置于该些有源区与该些第一栅极之间以及该些有源区与该些第二栅极之间；一第二介电层，配置于该些第一栅极与该些字线之间以及该些源极线与该些第二栅极之间；一第三介电层，配置于该衬底上且覆盖该些字线与该些源极线；多个源极/漏极区配置于该些第一栅极与该些第二栅极两侧的该些有源区之中；多个源极线接触窗，穿透该第三介电层，而与各对源极线之间的该些源极/漏极区连接，并且与各对源极线其中之一电连接；以及多个绝缘层，分别配置于该些第二栅极与该些源极线接触窗之间。