| 发明名称 | 多层膜的干湿结合蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及多层膜的蚀刻方法，特别是各向异性磁电阻效应(AMR)传感器制造中所使用的多层膜的蚀刻方法。一种多层膜的干湿结合蚀刻方法，包括：干法刻蚀各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜的保护层；湿法腐蚀各向异性磁电阻效应薄膜的坡莫合金层；干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的过渡层。各向异性磁电阻效应(AMR)薄膜为钽(Ta)/坡莫合金(NiFe)/钽(Ta)组成的多层膜。本发明与传统的方法相比，缩短了刻蚀的时间，提高了刻蚀工艺的效率，电阻条边缘整齐，图形质量高。 | ||
| 申请公布号 | CN1617229A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
| 申请号 | CN200310113893.2 | 申请日期 | 2003.11.11 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 高晓光;李建平;何秀丽 |
| 分类号 | G11B5/39;H01L43/12 | 主分类号 | G11B5/39 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 1.一种多层膜的干湿结合蚀刻方法，其特征在于，包括：干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的保护层；湿法腐蚀各向异性磁电阻效应薄膜的坡莫合金层；干法刻蚀各向异性磁电阻效应薄膜的过渡层。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村路17号 | ||