用高温氧化方法制备SnO<SUB>2</SUB>过渡层

摘要

高温氧化方法制备SnO₂过渡层，本项发明所属域为新型光电子材料。本发明主要是采用新的制作工艺，用高温氧化方法在透明低阻SnO₂:F薄膜表面，氧化出一层透明本征SnO₂膜。本征SnO₂膜作为透明前电极与CdS层的过渡层，可以在CdS层减薄的情况下，提高CdS/CdTe电池的短波响应，使得CdTe太阳电池的转换效率提高1～2％。，本发明减化了SnO₂过渡层的生产工艺，大幅降低产品成本。

主权项

1.一个使用高温氧化方法制备透明SnO2高阻薄膜的方法。其特征是，在透明低阻SnO2:F薄膜的基础上，用高温氧化的方法，让氧离子向透明低电阻薄膜内扩散，对透明低阻膜内的氧缺位进行补偿，从而形成低阻高阻复合膜。