使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法

摘要

本发明面临的课题是由于MOSFET芯片上面的电极取出依赖于线焊接，所以就没能找到改善由影响最大的MOSFET芯片的源电极取出电阻引起的导通电阻的解决办法。本发明通过使用MOSFET的保护电路装置，不需要共用漏电极的引回而且源电极直接被固定于导电电路，实现了低的导通电阻，其中，该MOSFET配备有；被电分离的多个导电电路、在所希望的该导电电路上把固定栅电极和源电极的2个功率MOSFET集成在一个芯片上的MOSFET芯片、设置于该MOSFET芯片的共用漏电极上的导电材料、覆盖所述MOSFET芯片并且一体地支持所述导电电路的绝缘树脂。

主权项

1.一种使用MOSFET的保护电路装置，在该保护电路装置中，连接2个MOSFET，由控制器IC对所述两个MOSFET进行开关控制，其特征在于：在绝缘衬底上设置希望的图形的导电电路，在所希望的该导电电路上把在一个芯片上集成所述两个MOSFET的MOSFET芯片的各个栅电极与各个源电极固定，在所述MOSFET芯片的背面设置的共用漏电极上布置导电材料。