挥发性记忆体结构及其形成方法

摘要

一种形成挥发性记忆体结构之方法，包括下列步骤：首先，提供具有一对相邻的沟槽基底，并且每一沟槽之下半部形成有一埋入式沟槽电容。接下来，形成具有高部及低部之项圈绝缘层于每一等沟槽之上半部侧壁，其中高部系大体设置于每一等沟槽邻近预定形成主动区之侧壁上。