| 主权项 |
1.一种在半导体晶粒中之复合电容器,该复合电容器包含:一下电容器之一下电极,下电容器之下电极置于半导体晶粒之下互接金属层中;下电容器之一上电极,上电极置于下层间介质层内,下层间介质层分隔下互接金属层及一上互接金属层;上电容器之一下电极,上电容器之下电极置置于半导体晶粒之上互接金属层中;上电容器之一上电极,上电极置于上层间介质层内,上层间介质层置于上互接金属层上;下电容器之上电极连接至上电容器之下电极;下电容器之下电极连接至上电容器之上电极,由此,复合电容器为下电容器及上电容器之并联。2.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,其中,下电容器之上电极由至少一通孔连接至上电容器之下电极。3.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,其中,下电容器之下电极由至少一通孔连接至上电容器之上电极。4.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,另包含一高k介质置于下电容器之下及上电极之间。5.如申请专利范围第4项所述之复合电容器,其中,高k介质选自氧化矽,氮化矽五氧化钽,氧化铝,氧化铪,氧化锆,矽酸锆铝,矽酸铪,及矽酸铪铝所组之群中。6.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,另包含一高k介质置于上电容器之下及上电极之间。7.如申请专利范围第6项所述之复合电容器,其中,高k介质选自氧化矽,氮化矽,五氧化钽,氧化铝,氧化铪,氧化锆,矽酸锆铝,矽酸铪,及矽酸铪铝所组之群中。8.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,其中,下及上层间介质层包含低k介质。9.如申请专利范围第8项所述之复合电容器,其中,该低k介质选自多孔氧化矽,氟化非晶质碳,氟聚合物,聚对二甲苯,聚对二甲苯醚,silsesquioxane,氟化二氧化矽,及钻石状碳所组之群中。10.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,另包含:一第一金属节段,置于上互接金属层中,第一金属节段连接至下电容器之下电极及上电容器之上电极。11.如申请专利范围第10项所述之复合电容器,其中,第一金属节段由至少一通道连接至下电容器之下电极。12.如申请专利范围第10项所述之复合电容器,其中,第一金属节段由多个通孔及一第二金属节段连接至上电容器之上电极,第二金属节段置于上层间介质层上。13.如申请专利范围第1项所述之复合电容器,其中,下电容器之上电极及上电容器之上电极包含选自氮化钛及氮化钽所组之群中。14.一种用以制造复合电容器于半导体晶粒中之方法,该方法包含步骤:沉积一下互接金属层;构制一下电容器之上电极于下互接金属层上;雕刻该下互接金属层,以形成下电容器之一下电极;沉积一上互接金属层;构制一上电容器之上电极于上互接金属层上;雕刻该上互接金属层,以形成上电容器之一下电极。15.如申请专利范围第14项所述之方法,另包含步骤:由至少一通孔连接下电容器之上电极至上电容器之下电极。16.如申请专利范围第14项所述之方法,另包含步骤:由至少一通孔连接下电容器之下电极至上电容器之上电极。17.如申请专利范围第14项所述之方法,另包含步骤:构制一高k介质于下电容器之下及上电极之间。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中,高k介质选自氧化矽,氮化矽,五氧化钽,氧化铝,氧化铪,氧化锆,矽酸锆铝,矽酸铪,及矽酸铪铝所组之群中。19.如申请专利范围第14项所述之方法,另包含一步骤:构制一高k介质于上电容器之下及上电极之间。20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中,高k介质选自氧化矽,氮化矽,五氧化钽,氧化铝,氧化铪,氧化锆,矽酸锆铝,矽酸铪,及矽酸铪铝所组之群中。21.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,下电容器之上电极及上电容器之上电极包含选自氮化钛及氮化钽所组之群中。22.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,下电容器之上电极及上电容器之上电极使用公用蔽罩构制。图式简单说明:图1显示一示范结构之断面图,包含本发明之一实施例之示范之复合MIM电容器。图2显示本发明之一实施例之图1之示范之复合MIM电容器之概要图。图3显示流程图,显示实施本发明之实施例所采取之步骤。 |
