| 主权项 |
1.一种直接测量磁阻元件之磁致伸缩常数(Magnetostriction Constant)的方法,该方法包含:提供一基板,该基板具有一或复数个磁阻元件;插入该基板至一弯折装置;施加平行于该基板之一直流磁场;施加垂直于该基板之一交流磁场,该交流磁场平行于该一或复数个磁阻元件上之复数个磁阻层;从该磁阻中测量一讯号;藉由该弯折装置施予一机械压力,该机械压力平行于基板;以及在施予该机械压力之前,改变该直流磁场直到测量到该讯号为止。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该基板为一行(row)或是一晶片(wafer)。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该行或是该晶片具有复数个磁阻元件。4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之方法,其中藉由一微螺丝(micrometer screw)以施予该机械张力。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中微螺丝为电子控制。6.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之方法,其中该磁阻元件为基于一异向性磁阻(AnisotropicMagnetoresistance, AMR)、巨磁阻(Giant Magnetoresistance, GMR)、或穿遂性磁阻(Tunneling Magnetoresistance, TMR)之感测器。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该磁阻元件为基于一异向性磁阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)、巨磁阻(Giant Magnetoresistance, GMR)、或穿遂性磁阻(Tunneling Magnetoresistance, TMR)之感测器。图式简单说明:图1系根据本发明之一实施例中,测量一磁致伸缩常数之设置。 |
