半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层(3)、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层(4)、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。

主权项

1.一种半导体发光元件，包括：半导体基板；形成在所述半导体基板上的半导体叠层体，该半导体叠层体包含下部覆盖层、具有相对于所述半导体基板而在平行的方向的谐振器的有源层、以及上部覆盖层；连接到所述上部覆盖层，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极；以及连接到所述下部覆盖层的下部电极，其特征在于，所述半导体叠层体具有将多个凹部或凸部在谐振器方向上周期性排列的光子晶体结构，所述光子晶体结构在表面观察中至少一部分与所述上部电极不重叠，而且与所述上部电极在谐振器方向上并排形成，在所述上部电极和所述下部电极之间施加规定的电压时，在所述光子晶体结构的平面观察中从与所述上部电极重叠的区域发光。