超可缩放高速异质接面垂直N-通道金属绝缘体半导体电晶体及其方法ULTRA SCALABLE HIGH SPEED HETEROJUNCTION VERTICAL N-CHANNEL MISFETS AND METHODS THEREOF

摘要

描述场效电晶体之垂直通道、场效电晶体及互补金氧半电路之形成方法与结构，包含一垂直单晶半导体结构之侧壁上的汲极、体极和源极区域，其中一异质接面形成于电晶体之源极与体极间。源极区域与通道相对于体极区域系独立地晶格应变。且汲极区域包含一碳掺杂区域，以防止掺杂物(硼)扩散入体极。本发明经由异质接面及晶格应变减少从源极的漏电流，且经由选择半导体材料，于通道区域中独立地容许晶格应变以增加移动率。