| 摘要 |
一种半导体(10)，其具有如一电晶体之主动装置及直接位于该主动装置下方如一电容器(75，77，79)之被动装置，该主动装置与该被动装置藉由一通路或传导区域(52)及互连(68，99)而相连。该通路或传导区域(52)接触电晶体之一扩散区域或源区域(22)的底表面且接触该等电容器电极之第一电极(75)。一横向定位之垂直通路(32，54，68)及互连(99)接触该等电容器电极之第二电极(79)。金属互连或传导材料(68)可用作一电源平面，藉由将该电源平面建构于电晶体下方而非建构为邻近该电晶体而得以节省电路面积。 |
