| 发明名称 | 集成电路的铁电电容器元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路的铁电电容器元件的制造方法，包括以下步骤：淀积导电的底部电极层；淀积铁电电介质材料层；在525-600℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第一次退火以形成钙钛矿相，该第一次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的10％；淀积导电的顶部电极层；以及在700—750℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第二次退火，把铁电电介质材料层变成具有柱状结构的晶粒，该第二次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的5％，且该第二次退火在淀积导电的顶部电极层的步骤之后进行。 | ||
| 申请公布号 | CN1193422C | 申请公布日期 | 2005.03.16 |
| 申请号 | CN01143719.7 | 申请日期 | 2001.12.18 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 格伦·福克斯;储钒;布莱恩·伊斯泰普;高松知广;堀井义正;中村亘 |
| 分类号 | H01L21/8242;G11C11/22 | 主分类号 | H01L21/8242 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种集成电路的铁电电容器元件的制造方法，包括以下步骤：淀积导电的底部电极层；淀积铁电电介质材料层；在525-600℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第一次退火以形成钙钛矿相，该第一次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的10％；淀积导电的顶部电极层；以及在700-750℃之间的温度下对铁电电介质材料层进行第二次退火，把铁电电介质材料层变成具有柱状结构的晶粒，该第二次退火是在包含氧气的气氛中进行的快速热退火，其中氧气分压小于一个大气压的5％，且该第二次退火在淀积导电的顶部电极层的步骤之后进行。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||