改善高压元件结构的制造方法

摘要

本发明提供一种改善高压元件结构的制造方法，其可顺利整合于使用浅沟渠隔离结构的深次微米制程中。本发明可在漏极与半导体基底之间形成多重较深且较淡的掺杂区域，包括N－型漂移区域及N型掺杂井区，使漏极区域与半导体基底之间的掺质浓度依序递减。本发明利用漏极浓度大于N型掺杂井区浓度大于漂移区域浓度的递减掺杂浓度，以降低其接合面的电场强度，并增加崩溃电压，同时可改善高压晶体管的驱动电流。

主权项

1、一种改善高压元件结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其已形成有漂移区域；在该半导体基底上形成一薄氧化层及一图案化氮化硅层；以该图案化氮化硅层为光刻，蚀刻该半导体基底，以便在其中形成浅沟渠，并在该浅沟渠中填满一氧化物，进而形成浅沟渠隔离结构；在该半导体基底上形成第一图案化光阻，以该第一图案化光阻为光刻，蚀刻该图案化氮化硅层，以定义出场氧化区域，而后去除该第一图案化光阻；利用热氧化制程，在该场氧化区域内形成场氧化层，随后去除该氮化硅层及该薄氧化层；在该半导体基底上依序形成一栅极氧化层及多晶硅栅极结构；在该半导体基底中形成重离子掺杂区域，以作为源极与漏极；在该半导体基底上形成第二图案化光阻，以该第二图案化光阻为光刻，在该漂移区域内掺杂形成一掺杂井区；及去除该第二图案化光阻，对该半导体基底进行高温退火及驱入的步骤。