适用于改良的寿命结束〈End-of-life〉读取幅度的双单元记忆体装置操作的方法

摘要

一种程式化双单元记忆体装置(6)之方法，该双单元记忆体装置具有第一及第二电荷储存单元(38与40)。根据本发明的一个态样，该方法可包括：过度抹除该第一及第二电荷储存单元以改变记忆体装置的抹除状态临限电压，使其低于自然状态的临限电压。根据本发明的另一个态样，本方法可包括：将该第一及第二电荷储存单元程式化至相同的数据状态，验证该第二程式化电荷储存单元储存与该数据状态相应的电荷。若验证失败，该电荷储存单元两者可被重新脉冲。