30纳米磁性薄膜的制造技术

摘要

30纳米磁性薄膜制造技术，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按1：2.3的比例混合备用；用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10^－6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的Ni、Co蒸发料溶化后开始蒸发，蒸发速率控制到0.05纳米/秒，厚度控制在30纳米以下，然后，经过无氧化结晶化处理，使之成为具有各向异性的磁性体薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。

主权项

1、一种30纳米磁性薄膜的制造技术，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术，其特征是磁性原料选取高纯度的Ni、Co，按1∶2.3的比例混合备用，然后，通过真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀，当真空度达到1.0×10-6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发料溶化后开始蒸镀，蒸发速率控制到0.05纳米/秒，厚度控制在30纳米以下，在Si片基底(1)的绝缘膜(2)上形成敏感膜(3)，然后，经过无氧化结晶钝化处理，使之成为具有各向异性的磁性体薄膜(4)。