发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置。在电容测量电路中,配置PMISFET(1、2、3)和NMISFET(4~9)。布线(W1、W2、W3),在分别通过PMISFET(1、2、3),经过充电用电压供给部,与电源端子盘(PST)连接的同时,还分别通过NMISFET(7、8、9),经过电流取出部,与电流监测用端子盘(41)连接。再使电流监测用端子盘(41)与电流表(45)的探头接触,从而能测量电流(I)。实现了所需的端子盘数量少,而且能将3个以上的导体部件之间的电容(寄生电容)分离开后测量的电容测量电路。 |
申请公布号 |
CN1577843A |
申请公布日期 |
2005.02.09 |
申请号 |
CN200410049016.8 |
申请日期 |
2004.06.11 |
申请人 |
松下电器产业株式会社;株式会社瑞萨科技 |
发明人 |
山下恭司;国清辰也;渡边哲也;金本俊几 |
分类号 |
H01L27/00;H01L29/78;G01R31/30;G01R31/316 |
主分类号 |
H01L27/00 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1、一种半导体装置,其特征在于:在半导体芯片内,具有:第1导体部件;与所述第1导体部件之间隔着绝缘层而设置的第2导体部件;与所述第1、第2导体部件之间隔着绝缘层而设置的第3导体部件;以及电容测量电路,所述电容测量电路,具有:通过第1充电用开关晶体管而与所述第1导体部件连接,旨在使所述第1导体部件充电的充电用电压供给部;通过第1、第2电流测量用开关晶体管而分别与所述第2、第3导体部件连接,旨在取出从所述第2、第3导体部件流出的电流的电流取出部;以及控制所述各开关晶体管的ON·OFF的控制电路,并且,所述第2导体部件,通过受到所述控制电路的ON·OFF控制的第2充电用开关晶体管,与所述充电用电压供给部连接。 |
地址 |
日本国大阪府 |