发明名称 | 具有多晶硅薄膜晶体管的液晶显示器及其制造方法 | ||
摘要 | 用于液晶(LCD)显示器的阵列基板的制造方法,包括:在具有显示区和包围显示区的非显示区的基板上形成对准键;对准键上形成非晶硅层;用对准键作基准,结晶非晶硅层的预定部分;用对准键作基准,对非晶硅层进行构图,形成多晶硅层,其中,多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成;在半导体层上形成栅绝缘层;用对准键作基准,在栅绝缘层上形成栅极;在栅极上形成隔层绝缘层和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。 | ||
申请公布号 | CN1577011A | 申请公布日期 | 2005.02.09 |
申请号 | CN200410046199.8 | 申请日期 | 2004.06.02 |
申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 徐铉植;金荣柱;金商铉 |
分类号 | G02F1/136;H01L21/00 | 主分类号 | G02F1/136 |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;祁建国 |
主权项 | 1、一种液晶显示器的阵列基板的制造方法,包括:在具有显示区和非显示区的基板上形成对准键,其中,非显示区包围显示区;在对准键上形成非晶硅层;用对准键作基准,结晶非晶硅层的预定部分;用对准键作基准,对非晶硅层进行构图,形成多晶硅层,其中,多晶硅层用非晶硅层的预定部分形成;在多晶硅层上形成栅绝缘层;用对准键作基准,在栅绝缘层上形成栅极;在栅极上形成隔层绝缘层;和在隔层绝缘层上形成源极和漏极。 | ||
地址 | 韩国汉城 |