用于高迁移率元件的SIGe应变弛豫缓冲层及其制造方法SIGE STRAIN RELAXED BUFFER FOR HIGH MOBILITY DEVICES AND A METHOD OF FABRICATING IT

摘要

本发明提供一种半导体元件，包括一半导体基片和处于其上的至少一薄应变弛豫缓冲层，薄应变弛豫缓冲层基本由三层的叠层组成，其特征在于，薄应变弛豫缓冲层不是半导体元件的有源部分，以及界定薄应变弛豫缓冲层的所述三层基本具有相同的恒定Ge浓度，所述三层是：第一外延层Si1－xGex，x为Ge的浓度，处于所述第一外延层上的第二外延层Si1－xGex：C，C的量至少为0.3％，处于所述第二层上的第三外延层Si1－xGex。