低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明涉及一种制造低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的方法，该方法是先形成一包含有一通道区域的多晶硅层，接着进行一第一以及第二等离子增强化学气相沉积工序，以便在上述通道区域之上依序形成一由一以四乙基原硅酸酯为主的氧化硅层以及一氮化硅层所构成的复合栅极绝缘层，最后再形成该低温多晶硅薄膜晶体管的栅极电极以及源极/漏极。

主权项

1.一种在一绝缘基板上制造至少一低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括下列步骤：在上述绝缘基板的表面形成至少一多晶硅层(polysilicon layer，poly-Silayer)，该多晶硅层的表面包含有所述低温多晶硅薄膜晶体管的一源极区域、一漏极区域以及一通道区域；进行一第一等离子增强化学气相沉积工序以及一第二等离子增强化学气相沉积工序，以便在上述通道区域上依序形成一第一介电层(first dielectriclayer)以及一第二介电层(second dielectric layer)，上述第一介电层以及第二介电层构成一复合栅极绝缘层；以及在该复合栅极绝缘层之上形成一栅极电极(gate electrode)。