非挥发性记忆体之双参考晶胞感应架构

摘要

本发明提供一种非挥发性记忆体之双参考晶胞感应架构。高电压参考晶胞与低电压参考晶胞系分别耦接至两个感应放大器以提供两个不同之参考电压，以跟记忆体晶胞之电压相比较。此两个感应放大器之输出系连接至第二阶感应放大器以决定该记忆体之状态。双参考晶胞感应架构系加大感应视窗(Window)，其可在低电压应用下增加性能。双参考晶胞感应架构可由电压式，电流式或接地式实施。