| 发明名称 | 金属导线的蚀刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板，上述基板具有一金属层；于上述金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)；于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化上述阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻上述非晶碳植入层中未被上述阻剂罩幕覆盖的部分而在上述非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除上述阻剂罩幕；以及蚀刻上述金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。 | ||
| 申请公布号 | CN1553486A | 申请公布日期 | 2004.12.08 |
| 申请号 | CN03136362.8 | 申请日期 | 2003.06.02 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 聂俊峰;王清帆;郑丰绪;陈振隆 |
| 分类号 | H01L21/3213 | 主分类号 | H01L21/3213 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王一斌 |
| 主权项 | 1.一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板具有一金属层；于该金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon dopedlayer)；于该非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化该阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻该非晶碳植入层中未被该阻剂罩幕覆盖的部分而在该非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除该阻剂罩幕；以及蚀刻该金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||