压印用模仁之制程与结构

摘要

本发明系有关一种压印用模仁之制程方法与结构，其主要系可用于奈米压印技术中。本发明系于一基板材料上依序形成一钻石材料层与一光阻层，其中该阻剂(Resist)层与钻石材料相比更具有蚀刻抵抗性。接着利用能量束微影技术使光阻层形成特定排列图案之光阻遮罩，再利用钻石材料与光阻层材料之蚀刻选择比的差异，以乾蚀刻方式直接对于钻石材料表面进行蚀刻制程便可轻易形成相对应该阻剂遮罩图样之凹凸图形，进而完成以钻石材料为主体之压印用模仁。此一模仁结构除了具有高抗磨性外，还兼具有脱模容易之特性。

主权项

1.一种压印用模仁之制程方法,其步骤系包括有: (a)提供一基板; (b)于该基板上方形成一钻石类薄膜层; (c)于该钻石薄膜层上方形成一能量束光阻薄膜层; (d)利用一能量束微影蚀刻技术,于该能量束光阻薄 膜层上形成特定凹凸图形,凹处使钻石类薄膜层裸 露; (e)利用反应性离子蚀刻法,除去裸露钻石类薄膜层 ;以及 (f)将该未去除能量束光阻薄膜层去除,则该钻石类 薄膜层之表面遂可形成具有特定凹凸图形,其系可 作为压印技术所需之模仁。 2.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制程 方法,其中该基板之材料系可为矽、石英、蓝宝石 、钨、钼、钛、铱、氧化镁等其中之一。 3.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制程 方法,其中该钻石类薄膜层之材料系可为钻石及类 钻碳(diamond like carbon, DLC)其中之一。 4.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制程 方法,其中步骤(b)中该钻石类薄膜层之形成方式系 为化学气相沉积法。 5.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制程 方法,其中该能量束阻剂薄膜层之材料系为掺有15~ 50%之二氧化矽的KRS-XE阻剂。 6.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制程 方法,其中该能量束微影系统所使用之能量束可为 电子束、雷射聚焦离子束等其中之一。 7.如申请专利范围第1项所述之压印用模仁之制程 方法,其中该模仁系可应用于奈米压印微影(Nano- Imprint Lithography, NIL)技术上。 8.一种压印用模仁之结构,其系包括有: 一基板;以及 一钻石类薄膜层,其系形成于该基板上方,该钻石 类薄膜层之表面系形成有凹凸排列之一特定图案 。 9.如申请专利范围第8项所述之压印用模仁之结构, 其中该基板之材料系可为矽、石英、蓝宝石、钨 、钼、钛、铱、氧化镁等其中之一。 10.如申请专利范围第9项所述之压印用模仁之结构 ,其中该钻石类薄膜层之材料系可为钻石及类钻碳 (diamond like carbon, DLC)其中之一。 11.如申请专利范围第9项所述之压印用模仁之结构 ,其中该钻石类薄膜层之形成方式系为化学气相沉 积法。 图式简单说明: 图一A至图一C为将奈米压印微影技术应用于半导 体制程中之示意图。 图二系为石英、蓝宝石、矽以及钻石材料之各项 物理特性之比较表。 图三A至图三D为本发明一种压印用模仁之制程方 法的最佳实施例示意图。 图四为KRS-XE阻剂中掺入不同比例之二氧化矽后与 钻石材料蚀刻速率的比较表。