| 发明名称 |
Technique to obtain high mobility channels in MOS transistors by forming a strain layer on an underside of a channel |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US6815310(B2) |
申请公布日期 |
2004.11.09 |
| 申请号 |
US20030366771 |
申请日期 |
2003.02.14 |
| 申请人 |
INTEL CORP |
发明人 |
ROBERDS BRIAN;DOYLE BRIAN S |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/337;H01L29/10;H01L29/80;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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