发明名称 |
Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung |
摘要 |
Ein Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung (20) beinhaltet die Schritte: Positionieren eines mit der Halbleitervorrichtung (20) versehenen Halbleiter-Wafers auf einer Oberfläche einer Test-Werkzeugvorrichtung (1); Trennen des Halbleiter-Wafers in eine Vielzahl von Halbleiterchips (28) auf der Oberfläche durch Zerteilen oder Schneiden des Halbleiter-Wafers; und, unter der Positionierung der Vielzahl der Halbleiterchips (28) auf der Oberfläche, Testen einer elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung (20). DOLLAR A Folglich kann ein Verfahren bereitgestellt werden zum Testen einer Halbleitervorrichtung, welches eine elektrische Eigenschaft mit höherer Genauigkeit vor einem Zusammenbauschritt zu testen vermag.
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申请公布号 |
DE10354020(A1) |
申请公布日期 |
2004.10.21 |
申请号 |
DE2003154020 |
申请日期 |
2003.11.19 |
申请人 |
RENESAS TECHNOLOGY CORP., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
NISHIHASHI, RYOUJI;KOBAYASHI, KUNIO |
分类号 |
H01L21/66;G01R1/04;G01R31/28;(IPC1-7):H01L21/66 |
主分类号 |
H01L21/66 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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