发明名称 Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung
摘要 Ein Verfahren zum Testen einer Halbleitervorrichtung (20) beinhaltet die Schritte: Positionieren eines mit der Halbleitervorrichtung (20) versehenen Halbleiter-Wafers auf einer Oberfläche einer Test-Werkzeugvorrichtung (1); Trennen des Halbleiter-Wafers in eine Vielzahl von Halbleiterchips (28) auf der Oberfläche durch Zerteilen oder Schneiden des Halbleiter-Wafers; und, unter der Positionierung der Vielzahl der Halbleiterchips (28) auf der Oberfläche, Testen einer elektrischen Eigenschaft der Halbleitervorrichtung (20). DOLLAR A Folglich kann ein Verfahren bereitgestellt werden zum Testen einer Halbleitervorrichtung, welches eine elektrische Eigenschaft mit höherer Genauigkeit vor einem Zusammenbauschritt zu testen vermag.
申请公布号 DE10354020(A1) 申请公布日期 2004.10.21
申请号 DE2003154020 申请日期 2003.11.19
申请人 RENESAS TECHNOLOGY CORP., TOKIO/TOKYO 发明人 NISHIHASHI, RYOUJI;KOBAYASHI, KUNIO
分类号 H01L21/66;G01R1/04;G01R31/28;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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