| 主权项 |
1.一种烯烃CH2=CHR(式中R系氢或C1-12烷基)聚合用之预聚触媒成份,包含至少一支钛-卤键之钛化物及选自酯、醚、胺及酮之供电子化合物,均负载于活化形式的卤化镁之固态触媒成份,其中内供电子化合物选自式(I)之1,3-二醚:式中RI,RII,RIII,RIV,RV及RVI相同或不同,系氢或C1-18烃基,而VII及RVIII相同或不同,同RI-RVI,但不是氢;RI至RVIII中有一个或多个基可相连成环,其系使钛化物Ti(OR)n-yXy(式中n为钛之价位,x为卤素原子,y为1至n之値)和加成物MgCl2pROH(式中p为0.1至6之间的数,R系C1-18烃基)反应而得,能在标准的丙烯聚合条件获得在25℃二甲苯中不溶解率大于90%之丙烯均聚物,而固态触媒成份系和乙烯预聚合至每克固态触媒成份产生高至100克的乙烯预聚物,且每克固态触媒成份产生少于15克的乙烯聚合物。2.如申请专利范围第1项之触媒成份,其中每克固态触媒成份产生少于5克的乙烯聚合物。3.如申请专利范围第1项中之触媒成份,其中钛化物为TiCl4(四氯化钛)。4.如申请专利范围第1项之触媒成份,其中内供电子化合物选自单羧酸之烷酯,环烷酯或芳酯,其中该烷基、环烷基或芳基具C1-18。5.如申请专利范围第1项之触媒成份,其中内供电子化合物选自苯酸乙酯或酸二异丁酯。6.如申请专利范围第1项之触媒成份,其中RVII及RVIII选自C1-4烷基,而RIII及RIV可连接成一环。7.一种如申请专利范围第1至第6项中任一项之预聚合触媒成份之制法,系在含有镁、钛、卤原子及供电子化合物之固态触媒及烷基铝化合物之存在下进行乙烯预聚合而得。8.如申请专利范围第7项之制法,其中烷基铝化合物选自三烷基铝及卤化烷基铝。9.如申请专利范围第8项之制法,其中烷基铝化合物选自三乙基铝,三异丁基铝,三正丁基铝,三正己基铝,三正辛基铝。10.如申请专利范围第7至第9项中任一项之制法,其中预聚合反应中烷基铝化合物之用量是使铝/钛莫耳比为0.001至50。11.如申请专利范围第10项之制法,其中铝/钛莫耳比为0.001至10。12.如申请专利范围第11项之制法,其中铝/钛莫耳比为0.001至1。13.如申请专利范围第7项之制法,其中预聚合是在选自液态烃之液态稀释剂中进行。14.一种烯烃CH2=CHR(式中R系氢或C1-12烷基)聚合用之触媒,包含申请专利范围第1-6项中任一项之预聚合触媒成份,烷基铝化合物及任意一或多种供电子化合物。15.如申请专利范围第14项之触媒,其中采用苯酸酯为内供电子剂及外供电子剂。16.如申请专利范围第15项之触媒,其中采用苯酸酯和矽化物之混合物为外供电子剂。17.如申请专利范围第15项之触媒,其中内供电子剂为苯酸乙酯,而外供电子剂为对乙氧苯酸乙酯。18.如申请专利范围第16项之触媒,其中内供电子剂为苯酸乙酯,而外供电子剂为对乙氧苯酸乙酯及二环戊基二甲氧矽烷之混合物。19.一种烯烃CH2=CHR(式中R系氢或C1-12烷基)之聚合方法,系在含(A)申请专利范围第1至6项中任一项之预聚合触媒成份;(B)烷基铝化合物及任意之(C)外供电子化合物之触媒存在下进行聚合反应。20.如申请专利范围第19项之聚合方法,其中欲形成触媒之成份(A),(B)及任意之(C)在加入聚合反应器之前先预接触:21.如申请专利范围第19项之聚合方法,其中烯烃为丙烯。22.如申请专利范围第19项之聚合方法,其中外供电子化合物选自矽化物,醚,酯,胺,杂环化合物,酮及通式(I)所示之1,3-二醚。23.如申请专利范围第22项之聚合方法,其中外供电子化合物选自矽化物R5a R6bSi(OR7)c,式中a及b为0至2之整数,c为1至3之整数,a+b+c之和为4;R5,R6及R7系任意含有杂原子之C1-18烷基,环烷基或芳基。24.如申请专利范围第23项之聚合方法,其中a系1,b系1,c系2,而R5及R6中至少有一为C3-10之分枝烷基、环烷基或芳基,且R7系C1-10烷基。 |
