PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE MEMOIRE SONOS DE TYPE ONO DOUBLE EN UTILISANT UN TRAITEMENT D'AUTO ALIGNEMENT INVERSE

摘要

Procédé de fabrication d'une mémoire SONOS de type ONO double utilisant un traitement d'auto-alignement inverse, caractérisé en ce qu'une couche diélectrique ONO est formée sous une grille et est physiquement séparée en deux parties par utilisation d'un traitement d'auto-alignement inverse indépendant des limites de la photolithographie. Pour faciliter l'auto-alignement inverse, on utilise une couche tampon et des éléments d'espacement permettant de définir la largeur de la couche diélectrique ONO. Cela permet d'ajuster de façon appropriée la dispersion de charges piégées pendant la programmation et l'effacement, en améliorant ainsi les caractéristiques du dispositif SONOS. La présente invention évite la redistribution des charges au cours du temps après les opérations de programmation et d'effacement.