发明名称 半导体发光装置及其制造方法和电子图像拾取装置
摘要 本发明提供一种半导体发光装置,包括:具有主表面(1a)的引线框(1);LED芯片(4);设置成完全覆盖LED芯片(4)的环氧树脂(6);以及设置成围绕LED芯片(4)的树脂部分(3)。环氧树脂(6)包括顶表面(6a)。树脂部分(3)包括顶表面(3a),其设置在离开主表面(1a)的距离大于从主表面(1a)到顶表面(6a)的距离位置,以及内壁面(3b),其设置在LED芯片(4)定位的侧面上并且沿离开主表面(1a)的方向延伸以到达顶表面(3a)。由此,此半导体发光装置具有优良的热传导率,并且能够对光线的方向进行适当的控制。另外,本发明还提供一种上述半导体发光装置的制造方法及一种电子图像拾取装置。
申请公布号 CN1523681A 申请公布日期 2004.08.25
申请号 CN200410003734.1 申请日期 2004.02.04
申请人 夏普株式会社 发明人 竹中靖二
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 陈瑞丰
主权项 1.一种半导体发光装置,包括:具有主表面(1a)的引线框(1),所述主表面中限定有第一区域(10)和沿所述第一区域(10)的外周延伸的第二区域(20);设置在所述第一区域(10)的半导体发光元件(4);第一树脂部件(6),其相对于从所述半导体发光元件(4)发射出来的光线具有第一折射率,并且设置在所述第一区域(10)以完全覆盖所述半导体发光元件(4);第二树脂部件(3),其相对于从所述半导体发光元件(4)发射出来的光线具有大于所述第一折射率的第二折射率,并且设置在所述第二区域(20)以围绕所述半导体发光元件(4);其中:所述第一树脂部件(6)包括第一顶表面(6a);以及所述第二树脂部件(3)包括:第二顶表面(3a),其设置在离开所述主表面(1a)的距离大于从所述主表面(1a)到所述第一顶表面(6a)之间的距离的位置处,和内壁面(3b),其设置在所述半导体发光元件(4)定位的侧面,并沿远离所述主表面(1a)的方向延伸以到达所述第二顶表面(3a)。
地址 日本大阪府