在化学机械平坦化作用期间减少表面凹陷及磨蚀作用的方法

摘要

本发明主要系关于一种浆液系统及自基板去除金属之方法。本发明可使用于抛光一微电子装置。本发明特别有用于半导体晶圆的化学机械平坦化作用。本发明之浆液系统包括第一浆液及第二浆液，其中第一浆液的研磨剂浓度高于第二浆液。本发明之方法包括利用第一浆液进行第一抛光，以部分地自基板去除金属，以及利用第二浆液进行第二抛光，以进一步地自基板去除金属。