发明名称 高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及制备方法
摘要 本发明高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶及其制备方法,特征在于将高锰酸钾和水合肼反应,收集沉淀并烘干;所得纳米晶粒径分布在10-15纳米,颗粒度均匀,纯度达99%,不易氧化,不易吸湿,便于贮存;适用于制作软磁性材料如高频转换器、磁头、锰锌铁氧体磁芯,以及锂电池和锰干电池中的阳电极材料和用于去除废气中的CO、SO<SUB>2</SUB>、NO等气体的催化剂;本发明方法反应速度快、能耗低、成本低,容易实现工业化生产。
申请公布号 CN1159229C 申请公布日期 2004.07.28
申请号 CN00135435.3 申请日期 2000.12.19
申请人 中国科学技术大学 发明人 桂宙;樊荣;胡源;陈仙辉
分类号 C01G45/02 主分类号 C01G45/02
代理机构 代理人
主权项 1、一种高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶的制备方法,其特征在于:将高锰酸钾和水合肼反应,产生土黄色沉淀,收集沉淀并烘干,即可得到高纯四方相γ-三氧化二锰纳米晶;其反应式为:。
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