闪存的结构及其操作方法

摘要

一种闪存的结构，此闪存元件的结构是由P型基底、设置于P型基底中的深N型井区、设置于深N型井区中的P型井区、设置于P型基底上的一对栅极结构、设置于该对栅极结构之间的选择栅极与设置于一对栅极结构两侧的P型井区中的N型源极/漏极区。由于每两个相邻两栅极结构共享一个选择栅极，因此可以增加元件的集成度。

主权项

1.一种闪存元件的结构，其特征是，该闪存元件的结构包括：一第一导电型基底；一第二导电型第一井区，该第二导电型第一井区设置于该基底中；一第一导电型第二井区，该第一导电型第二井区设置于该第二导电型第一井区中；一对栅极结构，该对栅极结构设置于该第一导电型基底上；一选择栅极，该选择栅极设置于该对栅极结构之间；以及一对第一导电型源极/漏极区，该对第一导电型源极/漏极区分别设置于该对栅极结构两侧的该第一导电型第二井区中。