位元线的形成方法

摘要

本发明提供一种位元线的形成方法，首先，提供一半导体基底，半导体基底上具有一电晶体，电晶体具有一闸极及一源汲极区；于半导体基底上形成一第一介电层，第一介电层具有一第一开口，第一开口露出源汲极区表面；于第一开口形成一导电层；于第一介电层及导电层表面上形成一阻障层；于阻障层上形成一第二介电层，第二介电层具有一第二开口及一第三开口，第二开口形成于对应第一开口之阻障层上；及于第二开口及第三开口形成一金属层，用以作为一位元线。