| 发明名称 | 光生伏打元件及其制造法和制造设备 | ||
| 摘要 | 一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法，在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少第1堆积室具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向，从上部流入下部的装置，第2堆积室具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置，所述第1堆积室和所述第2堆积室由分开的通路相互连接在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN1507011A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN200310116461.7 | 申请日期 | 1997.09.05 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 冈部正太郎;藤冈靖;金井正博;酒井明;泽山忠志;幸田勇藏;芳里直;矢岛孝博 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L31/20;C23C16/513 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蒋世迅 |
| 主权项 | 1、一种堆积膜形成设备，利用等离子体化学汽相淀积方法在长的衬底上连续堆积多个半导体层，其特征是，至少一个具有使原材料气体沿着所述长衬底移动方向从上部流入下部的装置的第1堆积室；以及一个具有使原材料气体沿所述长衬底移动方向从下部流向上部的装置的第2堆积室，所述第1堆积室和所述第2堆积室由一个分开的通路相互连接在一起。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||