| 发明名称 | 研磨方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。 | ||
| 申请公布号 | CN1507014A | 申请公布日期 | 2004.06.23 |
| 申请号 | CN200310120519.5 | 申请日期 | 2003.12.12 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 福岛大;南幅学;矢野博之;竖山佳邦 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/3213;H01L21/3205;B24B1/00 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种研磨方法，其特征在于包括以下步骤：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨，上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨，上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||