| 主权项 |
1.一种半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,至少包括:提供一光罩,其中该光罩上至少包括相同之复数个图案区,且该些图案区中至少包括一缺陷图案区,而该缺陷图案区至少包括一缺陷;提供一基材,其中该基材上至少包括一能敏层(Energy-sensitive Layer),且该能敏层具有一显影门槛;以及分别透过该光罩上之该些图案区对该基材之该能敏层上之一预设区域进行复数个曝光步骤,其中透过该缺陷图案区曝光该能敏层之该预设区域所使用之曝光强度小于该能敏层之该显影门槛。2.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中每一该些曝光步骤之曝光强度相同。3.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中每一该些曝光步骤之曝光强度不同。4.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中每一该些曝光步骤之曝光强度小于该能敏层之该显影门槛。5.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷为透光缺陷(Transparent Defect)。6.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷为不透光缺陷(Opaque Defect)。7.如申请专利范围第1项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷为相位缺陷(Phase Defect)。8.一种半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,至少包括:提供一光罩,其中该光罩上至少包括相同之一第一图案区以及一第二图案区,且该第一图案区至少包括一缺陷,而该第二图案区不具缺陷;提供一基材,其中该基材上至少包括一能敏层,且该能敏层具有一显影门槛;透过该光罩上之该第一图案区对该基材之该能敏层上之一预设区域进行一第一曝光步骤,其中该第一曝光步骤之一第一曝光强度小于该能敏层之该显影门槛;以及透过该光罩上之该第二图案区对该基材之该能敏层上之该预设区域进行至少一第二曝光步骤,其中每一该至少一第二曝光步骤具有一第二曝光强度,且该第一曝光步骤之该第一曝光强度与每一该至少一第二曝光步骤之该第二曝光强度相加之总曝光强度大于该能敏层之该显影门槛。9.如申请专利范围第8项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该至少一第二曝光步骤之该第二曝光强度等于该第一曝光步骤之该第一曝光强度。10.如申请专利范围第8项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该至少一第二曝光步骤之该第二曝光强度大于该第一曝光步骤之该第一曝光强度。11.如申请专利范围第8项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷为透光缺陷。12.如申请专利范围第8项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷为不透光缺陷。13.如申请专利范围第8项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷为相位缺陷。14.一种半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,至少包括:提供复数个光罩,其中该些光罩上具有相同之布局图案,且该些光罩中至少包括一缺陷光罩,而该缺陷光罩至少包括一缺陷图案;提供一基材,其中该基材上至少包括一能敏层,且该能敏层具有一显影门槛;以及分别利用该些光罩对该基材之该能敏层上之一预设区域进行复数个曝光步骤,其中利用该缺陷光罩曝光该能敏层之该预设区域所使用之曝光强度小于该能敏层之该显影门槛,且该些曝光步骤之总曝光强度大于该能敏层之该显影门槛。15.如申请专利范围第14项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中每一该些曝光步骤之曝光强度不同。16.如申请专利范围第14项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中每一该些曝光步骤之曝光强度相同。17.如申请专利范围第14项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中每一该些曝光步骤之曝光强度小于该能敏层之该显影门槛。18.如申请专利范围第14项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷图案为透光图案。19.如申请专利范围第14项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷图案为不透光图案。20.如申请专利范围第14项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷图案为相位图案。21.一种半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,至少包括:提供一第一光罩以及一第二光罩,其中该第一光罩与该第二光罩具有相同之布局图案,且该第一光罩上至少包括一缺陷图案,而该第二光罩上无缺陷图案;提供一基材,其中该基材上至少包括一能敏层,且该能敏层具有一显影门槛;利用该第一光罩上对该基材之该能敏层上之一预设区域进行一第一曝光步骤,其中该第一曝光步骤之一第一曝光强度小于该能敏层之该显影门槛;以及利用该第二光罩对该基材之该能敏层上之该预设区域进行至少一第二曝光步骤,其中每一该至少一第二曝光步骤具有一第二曝光强度,且该第一曝光步骤之该第一曝光强度与每一该至少一第二曝光步骤之该第二曝光强度相加之总曝光强度大于该能敏层之该显影门槛。22.如申请专利范围第21项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该至少一第二曝光步骤之该第二曝光强度等于该第一曝光步骤之该第一曝光强度。23.如申请专利范围第21项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该至少一第二曝光步骤之该第二曝光强度大于该第一曝光步骤之该第一曝光强度。24.如申请专利范围第21项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷图案为透光图案。25.如申请专利范围第21项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷图案为不透光图案。26.如申请专利范围第21项所述之半导体制程中利用多次曝光降低已存缺陷之影响的方法,其中该缺陷图案为相位图案。图式简单说明:第1图系绘示本发明之第一较佳实施例之光罩上视示意图;第2图系绘示本发明之第一较佳实施例之晶圆的上视图;第3图系绘示本发明第一较佳实施例之晶圆上光阻的预设区域经多次曝光以及显影后之放大上视图;第4图系绘示本发明之第二较佳实施例之一光罩的上视示意图;第5图系绘示本发明之第二较佳实施例之另一光罩的上视示意图;第6图系绘示本发明之第二较佳实施例之晶圆的上视图;以及第7图系绘示本发明第二较佳实施例之晶圆上光阻的预设区域经多次曝光以及显影后之上视图。 |
