| 主权项 |
1.一种用以实施矽晶圆热处理之方法,在实施过程中矽晶圆系至少暂时暴露于一含氧环境中,热处理进行时之温度系经适当选择俾可满足下列不等式其中[Oi]系矽晶圆内之氧浓度。[Oi]eq(T)系在T温度下矽内氧之溶解度极限,SiO2系二氧化矽之表面能,系沉淀氧原子之体积,r系平均COP半径及k系波耳兹曼常数。2.如申请专利范围第1项之方法,其中所用起始原料系一矽晶圆,该矽晶圆之氧浓度[Oi]<71017个原子/立方公分。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中所用起始原料系一矽晶圆,该矽晶圆之平均COP直径低于160毫微米。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽晶圆系以预定加热速率加热直至达到满足不等式(1)之范围内之温度,之后将该温度保持在该范围内至一预定时间,再以预定冷却速率将该矽晶圆加以冷却5.如申请专利范围第4项之方法,其中该温度保持在可满足不等式(1)之范围内之时间系10秒钟至15分钟。6.如申请专利范围第4项之方法,其中矽晶圆系以10绝对温度/秒至120绝对温度/秒之冷却速率加以冷却。7.如申请专利范围第4项之方法,其中至少在冷却操作过程中,该矽晶圆之背面系暴露在一含氮环境中。8.如申请专利范围第1项之方法,其中于热处理后将该矽晶圆加以抛光。9.一种用申请专利范围第1项之方法处理适之矽晶圆,该矽晶圆之整体氧沉淀-核晶中心密度为至少107/立方公分,其正面上有一至少1微米厚之无核晶中心区,及于至少50%晶圆厚度深处之COP密度低于10,000/立方公分。10.如申请专利范围第9项之矽晶圆,其特征为该矽晶圆具有一不对称空位浓度分布。11.如申请专利范围第9项之矽晶圆,其中该矽晶圆含有氮,沿任何预期垂直于晶圆表面之直线,氮浓度并非恒常不变。 |
