| 发明名称 | 半导体处理电极用气体喷出板 | ||
| 摘要 | 【物品用途】本创作系有关于一种半导体处理电极用气体喷出板之新式样设计，其主要用途乃如第11图所示，使用于半导体晶圆的蚀刻装置，而其材质为石英等；一旦被安装在处理装置上并连接高频电源，就会在成为上部电极的本创作和下部电极之间形成电浆；而由反应气体供给管所供给的反应气体，会通过设在部的小孔，而流出真空容器内。【创作特点】如第1图及第5图所示，本创作是为一圆盘状的喷出板，其正背面上具有许多供给反应气体所用的通气用的小孔，同时如第6图至第10图的各个断面图所示，其外周缘上设有圆形或长圆形等各种不同的孔形部；其使用时乃如第11图所示，是被放置在真空容器内，而藉此使晶圆获得绝佳的成品效果，并达到品质良率高的晶圆制造功效；综上所述，本创作的某些设计虽是功能上的需求，但却在整体造形上形成特殊且深具科技感的造形，确为一理想美观之设计。 | ||
| 申请公布号 | TW596250 | 申请公布日期 | 2004.06.21 |
| 申请号 | TW092303156 | 申请日期 | 2003.05.20 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 土场重树 |
| 分类号 | 主分类号 | ||
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 台北市中山区南京东路二段一二五号七楼 | |
| 主权项 | 如图所示「半导体处理电极用气体喷出板」之新 式样。图式简单说明: 第1图系本创作之立体图。 第2图系本创作之后视图。 第3图系本创作之右侧视图。(左侧视图与之对称) 第4图系本创作之俯视图。(仰视图与之对称) 第5图系本创作之前视图。 第6图系本创作之A-A放大图。 第7图系本创作之B-B放大断面图。 第8图系本创作之C-C断面图。 第9图系本创作之A-A放大断面图。 第10图系本创作之D-D断面图。 第11图系本创作之使用状态参考图。 | ||
| 地址 | 日本 | ||