METHOD FOR DEPOSITING III-V SEMICONDUCTOR LAYERS ON A NON-III-V SUBSTRATE

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von dicken III-V-Halbleiterschichten auf einem Nicht-III-V-Substrat, insbesondere Siliciumsubstrat, durch Einleiten gasförmiger Ausgangsstoffe in die Prozesskammer eines Reaktors. Um auf einem Siliciumsubstr at dicke III-V-Halbleiterschichten kristallin abzuscheiden, ohne dass nachteilige Gitterverspannungen auftreten, schlägt die Erfindung vor, dass zwischen zwei III-V-Schichten eine dünne Zwischenschicht bei einer reduzierten Wachstumstemperatur abgeschieden wird.