| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，其能够在形成下部电极时，避免由倾斜或提升现象造成的下部电极的短路，并藉由加宽有效电容器区域来保障电容器的足够多的电容。本发明的半导体装置包括：以整齐间距置放的多个电容器插塞；及用于电容器的多个下部电极，其以整齐间距置放，以分别与该些电容器插塞连接。 | ||
| 申请公布号 | CN1501501A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN200310116172.7 | 申请日期 | 2003.11.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金东锡;李镐硕;朴炳俊;权日荣;李钟旼;金炯秀;金真雄;崔亨福;申东旴 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/82 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：多个电容器插塞，在预定间隔内形成并交插在两条位元线之间，且该些电容器插塞的中点位于X轴虚拟线与Y轴虚拟线的交点处，其中该些X轴虚拟线与该些位元线平行，而该些Y轴虚拟线与该些X轴虚拟线垂直；以及多个电容器下部电极，其在预定间隔内形成为分别与该些电容器插塞以一对一对应方式连接，其中，各下部电极在平面上均具有八边形形状或圆形形状。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||