| 发明名称 | 用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1501437A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN03164983.1 | 申请日期 | 2003.09.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金县裁;姜淑映;姜明求 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/336;G02F1/136 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于把非晶硅转化为多晶硅的激光照射用多晶化掩模，该掩模包括：多个第一透光区，具有第一透光度；多个第二透光区，具有与第一透光度不同的第二透光度；以及不透光区，其中第一和第二透光区有具有宽度和长度的狭缝形状。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||