| 主权项 |
1.一种线上监控蚀刻终止层流失之方法,适用于在一晶圆之一元件区与一切割道上之一第一绝缘层中,分别开启一第一接触窗开口与一量测开口之后,监控该第一接触窗开口中该第一绝缘层下之一第一蚀刻终止层之流失状况,其方法包括:提供一控片,该控片上依序堆叠有一第二蚀刻终止层与一第二绝缘层,其中形成该第二蚀刻终止层与该第二绝缘层之一操作环境和该晶圆上所形成之该第一蚀刻终止层与该第一绝缘层之一操作环境相同,其中该第一绝缘层与该第二绝缘层具有相同之厚度;图案化该第二绝缘层,以移除部分该第二绝缘层,并于该第二绝缘层中形成裸露该第二蚀刻终止层之一厚度监控开口以及一第二接触窗开口,其中该第二接触窗开口之图案与该第一接触窗开口之图案相同;进行一第一量测步骤,分别量测该厚度监控开口以及该第二接触窗开口所裸露之部分该第二蚀刻终止层之一第一厚度流失与一第二厚度流失;建立该第一厚度流失与该第二厚度流失之一关联;以及进行一第二量测步骤,量测该量测开口中该第一蚀刻终止层之一第三厚度流失,并且对照该关联推测出该第一接触窗开口之一第四厚度流失。2.如申请专利范围第1项所述之线上监控蚀刻终止层流失之方法,其中该轴刻制程之一操作条件与进行该开启该部分接触窗之一操作条件相同。3.如申请专利范围第1项所述之线上监控蚀刻终止层流失之方法,其中该第二蚀刻终止层之厚度大于该第一蚀刻终止层之厚度。4.如申请专利范围第1项所述之线上监控蚀刻终止层流失之方法,其中该第一量测步骤包括一截面分析。5.如申请专利范围第1项所述之线上监控蚀刻终止层流失之方法,其中该第二量测步骤包括一光学量测。6.如申请专利范围第1项所述之线上监控蚀刻终止层流失之方法,其中该第一蚀刻终止层与该第二蚀终止层包括一氮化矽层。7.一种量测间隙壁流失之方法,适用于量测一闸极之间隙壁在一介电层之一元件区与一切割道中,分别形成一部分接触窗开口与一量测开口之后,监控该间隙壁之流失状况,其方法包括:提供一控片,该控片之一基底上方依序堆叠有一第一绝缘层与一第二绝缘层,其中形成该第一绝缘层与该第二绝缘层之材质与操作环境和分别形成该间隙壁与该介电层之材质与操作环境相同;进行一蚀刻制程以移除部分该第二绝缘层,并于该第二绝缘层中形成裸露该第一绝缘层之一厚度监控开口与一元件开口,其中该元件开口之图案与该部分接触窗开口之图案相同;进行一截面分析步骤,分别量测该厚度监控开口以及该元件开口所裸露之部分该第一绝缘层之一第一厚度流失与一第二厚度流失;建立该第一厚度流失与该第二厚度流失之一关联;以及进行一光学量测步骤,量测该量测开口中一间隙壁材料层之一第三厚度流失,并且对照该关联推测出该部分接触窗开口之一第四厚度流失。8.如申请专利范围第7项所述之量测间隙壁流失之方法,其中该蚀刻制程之一操作条件与形成该部分接触窗之一操作条件相同。9.如申请专利范围第7项所述之量测间隙壁流失之方法,其中该第一绝缘层之厚度大于该间隙壁材料层之厚度。10.如申请专利范围第7项所述之量测间隙壁流失之方法,其中该第一绝缘层与该间隙壁材料层包括一氮化矽层。图式简单说明:第1图系显示一部分接触窗开口之剖面图;第2图系显示根据本发明较佳实施例之线上监控氮化矽流失之方法之流程简图;第3图所示,系为根据本发明一较佳实施例之元件晶圆剖面以及控片剖面之对照图:以及第3A图所示为根据本发明一较佳实施例之于控片上开启厚度监控开口以及元件开口之剖面简图。 |
