| 发明名称 | 半导体器件及使用金属镶嵌工艺制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的一个实施例的半导体器件的制造方法包括：制备具有第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底；在衬底上形成第一绝缘膜；蚀刻第一绝缘膜形成接触和槽形位线图形，露出第一接触焊盘和第二接触焊盘；同时分别在接触和位线图形中形成接触栓塞和位线，接触栓塞和位线具有共平面的上表面；以及形成连接到第一接触焊盘的电容器的下电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1497701A | 申请公布日期 | 2004.05.19 |
| 申请号 | CN200310101393.7 | 申请日期 | 2003.10.17 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李昌宪;郑文谟 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：制备具有第一接触焊盘和第二接触焊盘的半导体衬底；在衬底上形成第一绝缘膜；蚀刻第一绝缘膜形成接触和槽形位线图形，分别露出第一接触焊盘和第二接触焊盘；同时分别在接触和位线图形中形成接触栓塞和位线，其中接触栓塞和位线具有共平面的上表面；以及形成电容器的下电极，下电极连接到第一接触焊盘。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||