发明名称 电路装置及其制造方法
摘要 一种电路装置及其制造方法,在电路装置10的上面形成屏蔽层14。在露出导电图案11、覆盖电路元件12、金属细线16及导电图案11的绝缘性树脂13的上面形成由铜等金属构成的屏蔽层14。在通过去除绝缘性树脂13的一部分形成的通孔20上形成连接装置15,通过连接装置15电连接屏蔽层14和导电图案11B。由于形成通孔20的位置的导电图案11B是接地电位的导电图案,故可使屏蔽层层14为零电位。
申请公布号 CN1497717A 申请公布日期 2004.05.19
申请号 CN03160335.1 申请日期 2003.09.26
申请人 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 中村岳史;五十岚优助;坂本则明
分类号 H01L23/48;H01L23/28;H01L23/00;H01L21/50;H05K3/30 主分类号 H01L23/48
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李贵亮;杨梧
主权项 1、一种电路装置,其特征在于,包括:导电图案,其安装有电路元件;绝缘性树脂,其使所述导电图案的背面露出,覆盖所述电路元件及所述导电图案;屏蔽层,其设置在所述绝缘性树脂上;连接装置,其电连接所述导电图案和所述屏蔽层。
地址 日本大阪府