基底及其制造方法

摘要

提供一种制造一基底之方法，此基底具有一部分绝缘层于一半导体层底下。藉由执行下列步骤以获得一部分SOI基底(40)：形成第一基底之步骤，该第一基底具有一分离层、一于分离层上之第一半导体层(13)、一于第一半导体层(13)上之部分绝缘层(14a)、及一暴露于部分绝缘层(14a)中之第一半导体层(13)上及部分绝缘层(14a)上的第二半导体层(15b、16b)；一接合一第二基底(20)至第一基底上之第二半导体层(15b、16b)以形成一接合基底堆叠的步骤；及一分裂接合基底堆叠于分离层上之步骤。