| 摘要 |
一种抛光半导体基底用抛光组合物，其含一pH5.0以下的水性成分，(a)一羧酸聚合物，其含聚合的不饱和羧酸单体，有数均分子量约20,000至1,500,000，(b)1至15%重量比之氧化剂，(c)50-5,000ppm(每百万份中份数)的腐蚀阻抑剂，(d)最多3.0%重量比之络合剂，(e)0.1至5.0%重量比的界面活性剂。本发明系有关于铜金属电路之半导体晶片化学机械抛光用的抛光组合物。此组合物有5.0以下之pH，含有(a)一羧酸聚合物，其含聚合的不饱和羧酸单体，其具有数量平均分子量约20,000至1,500,000者或高与低数均分子量之聚合的不饱和羧酸单体之聚合物之掺合物，(b)1-15%重量比氧化剂，(c)最多3.0%重量比磨料粒子，(d)50-5,000ppm(每百万份中份数)的阻抑剂，(e)最多3.0%重量比之络合剂，诸如苹果酸，与(f)0.1-5.0%重量比的一种硷有机磺酸酯界面活性剂。 |
| 主权项 |
1.一种水性组合物,该水性组合物与一施加向下力量之抛光垫二者抛光半导体基底,自半导体基底上之下方障蔽膜中移除金属,其进一步持徵为:pH不高于5,一金属氧化剂在该pH供应金属离子,一络合剂溶解其离子,一羧酸聚合物与此金属具反应性,当抛光垫对下方障蔽膜上之金属层内金属施加相对较高向下力量时,提供金属层之相对高移除率,羧酸聚合物对沟内金属具反应性,当抛光垫对沟内金属施加相对较低向下力量时,提供沟内金属之相对高移除率,及一金属腐蚀抑制剂与界面活性剂的混合物,于施加相对较低向下力量于沟内金属上时会吸附在沟内金属上,以降低沟内金属在无金属腐蚀抑制剂与界面活性剂混合物时,由该羧酸聚合物与所施向下力量提供之移除率。2.根据申请专利范围第1项之水性组合物,其中界面活性剂包括一阴离子界面活性剂。3.根据申请专利范围第1项之水性组合物,其中界面活性剂包括一磺胺酸盐界面活性剂,含至少有六碳原子的分子。4.根据申请专利范围第1项之水性组合物,其中界面活性剂包括一有机磺酸硷金属盐。5.一种供抛光半导体基底之抛光组合物,含一pH5.0以下的水性组合物,及其进一步特征为:(a)一羧酸聚合物,其含聚合的不饱和羧酸单体,有数均分子量20,000至1,500,000;(b)1至15%重量比氧化剂;(c)50-5,000ppm(每百万份中份数)的腐蚀阻抑剂;(d)最多3.0%重量比之络合剂;及(e)0.1-5.0%重量比的界面活性剂。6.根据申请专利范围第5项之水性抛光组合物,其中界面活性剂系选自含钠、钾、锂及有机基为至少有六碳原子的脂属基。7.根据申请专利范围第5项之水性抛光组合物,其中界面活性剂为辛烷磺酸钠。8.根据申请专利范围第5项之水性抛光组合物,以组合物重量基计含0.01-3.0%重量的磨料粒子。9.一种抛光有铜金属电路的半导体晶片表面之方法,其包括以下步骤:(a)提供一有抛光表面的抛光垫,(b)夹持该晶片于载体中使晶片表面与抛光垫之抛光表面接触,(c)移动该载体以兼供晶片表面上压力及晶片表面与抛光表面间的相对侧向活动;及(d)在晶片表面与抛光表面之介面提供根据申请专利范围第1项之水性抛光组合物。 |
