| 发明名称 | 电子器件材料的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有优良电气特性的绝缘层或半导体层的高质量MOS型半导体等的电子器件材料的制造方法。包括在以单晶硅为主要成分的被处理基体上实施CVD处理形成绝缘膜的工序，以及将所述被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件(SPA)对处理气体辐射微波而生成的等离子体中，并使用此等离子体将所述绝缘膜改性的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1489784A | 申请公布日期 | 2004.04.14 |
| 申请号 | CN02804154.2 | 申请日期 | 2002.01.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种电子器件材料的制造方法，包括，将至少包含电子器件用的衬底和在该衬底上配置的绝缘膜的被处理基体暴露在通过具有多个缝隙的平面天线部件的微波辐射处理气体而生成的等离子体中，将所述绝缘膜改性的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||