| 主权项 |
1.一种金属薄膜制造装置,其包括:调节基材且具有顶部开口之室;源极气体供料装置,用以将含有卤素之源极气体提供于该室中;顶板元件,由绝缘体材料制得,用以关闭及打开该室之顶部;天线元件,由顶板元件向外伸出,用以藉着提供电力将该室内之氛围转化成电浆;经蚀刻元件,由金属制得,包括多个于该基材与该顶板元件之间相对于天线元件之电流方向排列成不连续状态的区段;电浆生成装置,提供电力于该天线元件,以于经蚀刻元件之基材侧面上生成与天线元件中电流方向相同之电流,以使该室内之氛围转化成电浆,且生成源极气体电浆,使得源极气体电浆蚀刻该经蚀刻元件,而形成该经蚀刻元件中所含之金属成份的前驱物及源极气体;及控温装置,用以控制基材温度,使之低于该经蚀刻元件之温度,以使该前驱物之金属成份沉积于该基材上,而成为薄膜。2.一种金属薄膜制造装置,其包括:调节基材且一末端开口之圆柱形室;圆盘形顶板元件,由绝缘体材料制得,用以封闭及打开该室;源极气体供料装置,用以将含有卤素之源极气体提供至该室内;平面环形天线元件,具有向外之顶板元件,可藉电力将该室内之氛围转化成电浆;经蚀刻之元件,由金属制得且包括多个区段,排列于该室之周围且于介于该基材及顶板元件之间的该室直径方向延伸,相对于该天线元件之电流方向成不连续状态;电浆生成装置,提供电力于该天线元件,以于经蚀刻元件之基材面上生成与天线元件中之电流方向相同的电流,以使该室内之氛围转化成电浆,且生成源极气体电浆,使得经蚀刻之元件被源极气体电浆蚀刻,而形成该经蚀刻元件所含之金属成份的前驱物及源极气体;及控温装置,用以将基材温度控制于低于经蚀刻元件之温度,以于基材上沉积前驱物之金属成份成一薄膜。3.一种金属薄膜制造装置,其包括:调节基材且一末端开口之圆柱形室;外曲凸面顶板元件,由绝缘体材料制得,用以封闭及打开该室;源极气体供料装置,用以将含有卤素之源极气体提供至该室内;锥环形天线元件,具有向外之顶板元件,可藉电力将该室内之氛围转化成电浆;经蚀刻之元件,由金属制得且包括多个区段,排列于该室之周围且于介于该基材及顶板元件之间的该室直径方向延伸,相对于该天线元件之电流方向成不连续状态;电浆生成装置,提供电力于该天线元件,以于经蚀刻元件之基材面上生成与天线元件中之电流方向相同的电流,以使该室内之氛围转化成电浆,且生成源极气体电浆,使得经蚀刻之元件被源极气体电浆蚀刻,而形成该经蚀刻元件所含之金属成份的前驱物及源极气体;及控温装置,用以将基材温度控制于低于经蚀刻元件之温度,以于基材上沉积前驱物之金属成份成一薄膜。4.一种金属薄膜制造装置,其包括:调节基材且一末端开口之圆柱形室;圆盘形顶板元件,由绝缘体材料制得,用以封闭及打开该室;管状部分,由绝缘体材料制得且位于该室之一末端;源极气体供料装置,用以将含有卤素之源极气体提供至该室内;平面环形天线元件,具有向外之顶板元件,可藉电力将该室内之氛围转化成电浆;圆柱螺旋形螺线天线元件,环绕该管状部分,且用以藉着提供电力而将室内之氛围转化成电浆;经蚀刻之元件,由金属制得且包括多个区段,排列于该室之周围且于介于该基材及顶板元件之间的该室直径方向延伸,相对于该螺线天线元件之电流方向成不连续状态;电浆生成装置,提供电力于该天线元件及螺线天线元件,以于经蚀刻元件与天线元件相对之侧面上生成与天线元件中之电流方向相同的电流,以使该室内之氛围转化成电浆,且生成源极气体电浆,使得经蚀刻之元件被源极气体电浆蚀刻,而形成该经蚀刻元件所含之金属成份的前驱物及源极气体;及控温装置,用以将基材温度控制于低于经蚀刻元件之温度,以于基材上沉积前驱物之金属成份成一薄膜。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属薄膜制造装置,其进一步包括相同电位保持装置,以使该经蚀刻元件之多个区段电联,而赋予相同电位。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属薄膜制造装置,其中该控温装置可为配置于经蚀刻元件中之装置,适于使该经蚀刻元件保持高于基材温度的温度。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属薄膜制造装置,其中该源极气体供料装置可为配置于该经蚀刻元件中之气体供料通道及气体喷射孔,该气体喷射孔系与气体供料通道连通。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属薄膜制造装置,其中用以生成不连续凹陷之凹陷部分可形成于经蚀刻元件面向该基材之表面中。9.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属薄膜制造装置,其中该含有卤素之源极气体可为含有氯之源极气体。10.如申请专利范围第9项之金属薄膜制造装置,其中该经蚀刻元件系由铜制得,以形成CuxCly前驱物。11.如申请专利范围第1至4项中任一项之金属薄膜制造装置,其中该经蚀刻元件系由钽、钨或钛制得,系为形成卤化物之金属。12.一种金属薄膜制造方法,其包括自天线元件提供电量,将调节基材之室内的氛围转化成电浆,包括:配置由金属制得且包括多个相对于该天线元件之电流方向排列成不连续状态之区段的经蚀刻元件;提供电力于该天线元件,以于经蚀刻元件之基材面上生成与该天线元件中之电流方向相同的电流,以使该室内之氛围转化成电浆,且生成源极气体电浆,以形成经蚀刻元件中所含之金属成份的前驱物及源极气体;及控制该经蚀刻元件之温度,使之低于该经蚀刻元件的温度,以于该基材上沉积该前驱物的金属成份成一薄膜。13.如申请专利范围第12项之金属薄膜制造方法,其中该含有卤素之源极气体系为含有氯之源极气体。14.如申请专利范围第12项之金属薄膜制造方法,其中该经蚀刻之元件系由铜制得,以形成CuxCly前驱物。15.如申请专利范围第12项之金属薄膜制造方法,其中该经蚀刻元件系由钽、钨或钛制得,系为形成卤化物之金属。图式简单说明:图1系为用以进行本发明第一具体实例之金属薄膜制造方法的金属薄膜制造装置的示意侧视图;图2系为于图1之线II-II上取得之剖面图;图3系为于图2之线III-III上取得之剖面图;图4系为显示经蚀刻元件之另一具体实例的平面图;图5系为用以进行本发明第二具体实例之金属薄膜制造方法的金属薄膜制造装置的示意侧视图;图6系为用以进行本发明第三具体实例之金属薄膜制造方法的金属薄膜制造装置的示意侧视图;图7系为用以进行本发明第四具体实例之金属薄膜制造方法的金属薄膜制造装置的示意侧视图;且图8系为用以进行本发明第五具体实例之金属薄膜制造方法的金属薄膜制造装置的示意侧视图。 |
