| 主权项 |
1.一种增进有效黏晶面积之封装制程,系包含:提供一基板,该基板系具有一黏晶面;形成一A阶液态胶于该基板之黏晶面,该A阶液态胶系包含有热固性化合物及溶剂;烘烤该基板,以去除该A阶液态胶之溶剂,使得该A阶液态胶形成一乾燥之B阶膜层;压合一晶片至该基板之黏晶面,以使该B阶膜层黏接该基板与该晶片,且在压合后保持该B阶膜层于未完全固化状态;电性连接该晶片与该基板;及压模形成一封胶体,当灌注该封胶体之前,该B阶膜层系未完全固化,该封胶体之注胶压力系大于上述压合压力,使得该B阶膜层被紧密压迫,以增进有效黏晶面积。2.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中压模时之注胶压力系介于1000 ~ 1500 psi。3.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中在压模时,同时提供一介于150℃至200℃之注胶温度,使得该B阶膜层完全固化为C阶膜层。4.如申请专利范围第1或3项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中在压模时之注胶温度系高于上述烘烤步骤之温度。5.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中,该B阶膜层系具有一高于35℃之玻璃态转化温度[glass transition temperature,Tg]。6.如申请专利范围第1或5项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中压合晶片之温度系高于该B阶膜层之玻璃态转化温度。7.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中该A阶液态胶之液态形成方法系选自于印刷[printing]、网板印刷[screen printing]、模板印刷[stencil printing]、喷涂[spraying]、旋涂[spin coatng]或浸染[dipping]。8.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中「压合晶片」之步骤中,该晶片之背面系黏接至该B阶膜层。9.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中「压合晶片」之步骤中,该晶片之主动面或侧面系黏接至该B阶膜层。10.如申请专利范围第1项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中在「压模形成一封胶体」步骤之后,切割单离该基板,使得基板之黏晶面面积尺寸不大于晶片正面面积的一点五倍。11.一种实施申请专利范围第1或10项所述增进有效黏晶面积之封装制程的B阶膜层,其系黏附于晶片与基板之间,该B阶膜层系具有一玻璃态转化温度[glasstransition temperature,Tg]及一热固化温度,该B阶膜层之玻璃态转化温度系不高于压合晶片之温度,且该B阶膜层之热固化温度系不高于封胶体之注胶温度。12.如申请专利范围第11项所述之B阶膜层,其中该B阶膜层之玻璃态转化温度系高于35℃。13.一种增进有效黏晶面积之封装制程,系包含:提供一基板,该基板系具有一黏晶面;网板印刷一A阶液态胶于该基板之黏晶面,该A阶液态胶系包含有热固性化合物及溶剂;烘烤该基板,以去除该A阶液态胶之溶剂,使得该B阶胶形成一乾燥之B阶膜层;压合一晶片至该基板之黏晶面,以使该B阶膜层黏接该基板与该晶片,且在压合后保持该B阶膜层于未完全固化状态;电性连接该晶片与该基板;及压模形成一封胶体,当灌注该封胶体之前,该B阶膜层系未完全固化,该封胶体之注胶压力系大于上述压合压力,使得该B阶膜层被紧密压迫,以增进有效黏晶面积。14.如申请专利范围第13项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中压模时之注胶压力系介于1000 ~ 1500 psi。15.如申请专利范围第13项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中在压模时,同时提供一介于150℃至200℃之压模温度,使得该B阶膜层完全固化为C阶膜层。16.如申请专利范围第13项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中,该B阶膜层系具有一高于35℃之玻璃态转化温度[glasstransition temperature,Tg]。17.如申请专利范围第13项所述之增进有效黏晶面积之封装制程,其中在「压模形成一封胶体」步骤之后,切割单离该基板,使得基板之黏晶面面积尺寸不大于晶片正面面积的一点五倍。图式简单说明:第1图:一种习知积体电路封装制程中黏接有晶片之基板截面示意图;第2图:在该习知积体电路封装之基板上有效黏晶面积之照相图;第3图:依本发明之一具体实施例,一种增进有效黏晶面积之封装制程之流程示意图;第4A至4F图:依本发明之一具体实施例,在该封装制程中之基板截面示意图;第5图:依本发明之一具体实施例,由该封装制程形成之积体电路封装截面示意图;及第6图:依本发明之另一具体实施例,在基板与晶片黏接后压模状态示意图。 |
